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电子陶瓷名词术语
类别:行业标准——新型陶瓷   浏览人数:2793   发布时间:2004-10-18
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    本标准规定了电子陶瓷名词术语的定义。包括基础理论、瓷料种类、性能与测试、设备和工艺及其它,共五部分。
1 基础理论
1.1 电子陶瓷 electronic ceramocd
  在电子技术中用于制造电子元件和器件的陶瓷材料,一般可分为结构陶瓷和功能陶瓷。
1.2 电子结构陶瓷 electronic structural ceramics
  用于制造电子元件、器件、部件和电路中的基体、外壳、固定件和绝缘零件等的陶瓷材料,又称装置瓷。它大致可分为电真空瓷、电阻基体瓷和绝缘零件等。
1.3 功能陶瓷 functional ceramics
  用于制电容器、电阻器、电感器、换能器、滤波器、振荡器、传感器等并在电路中起一种或多种作用的陶瓷材料。它又可分为电容器瓷、铁电瓷、压电瓷、半导体瓷、导电陶瓷以及磁性瓷等。
1.4 多相系统 Polyphase system
  在热力学中把所研究对象的物质的总体称为系统,系统中具有相同的物理、化学性质的部分称为相。
当系统达到热学平衡时,按相的数目可分为单相系统和多相系统。前者又称均匀系统,后者又称非均匀系统。陶瓷材料一般是由晶相、玻璃相和气相组成的多相系统。
1.5 晶相 crystal phase
  在多相系统中由晶体构成的部分。
1.6 晶粒 crystal grain
  在显微镜下观察到的有形的晶体的通称。
1.7 玻璃相 glass phase
  在多相系统中由玻璃态构成的部分。它是由主要组分、添加物和杂质等熔凝结而成的。
1.8 气相 gas phase
  在多相系统中由气体构成的部分。
1.9 气孔 pore
  存在于陶瓷体中的小孔。与大气连通的称开口气孔,封闭和称闭口气孔,包在晶粒内部的称晶内气孔,处地晶粒之间的称晶间气孔。
1.10 显微结构 microsruclure
  在显微镜下观察到的瓷体内各相的种类、形状、大小、数量、分布、取向以及晶界、显微镜缺陷等,总称称陶瓷材料的显微结构。显微结构的研究范围通常在100μm~0.2μm,从0.2μm~10 的范围称亚显微结构,10 以下的物质结构称微观结构。
1.11 晶界 crystal boundary ,grain boundary
  不同取向的晶粒之间的界面。
1.12 相界 phase boundary
  在多相系统中相与相之间的界面,如晶相和玻璃相之间,晶体与气相之间,玻璃相与气相之间,以及晶粒之间等。
1.13 晶体缺陷 crystal defect
  晶体内部质点排列偏离理想晶格构造规律的部分。可分为(1)点缺陷,如缺位、
杂质离子;(2)线缺陷,如位错;(3)面缺陷,如晶界等。
1.14 缺位 vacancy
  晶体中格位置上的质点脱离理想晶格间隙或晶体表面而形成的空格点。
1.15 织构 texture
  晶粒择优取向排列的结构。
1.16 滑移 slip
  晶体在应力作用下发生塑性形变时,其中一部分相对于另一部分产生的平移滑动。
1.17 位错 dislocation
  一部分晶面相对于另一部分晶面发生滑移动形成的一种线状缺陷。
1.18 微裂纹 micro-crack
  一般指深度为0.1~100μm的裂纹。它是由应力、相变等原因造成的。
1.19 晶格热振动 alttice oscillation
  由于热动能,晶格中的原子(或离子、分子)在基其平衡位置于所作的微幅振动,其振幅约为0.1A。
个别能量大的原子也有可能偏离其平衡位置。
1.20 热起伏 thermal fluctuaion
  在给定温度下处于平衡状态的系统中,原子(或离子、分子)热运动的动能偏离该温度相应的动能平均值的现象。
1.21 声子 phonon
  晶格振动中声波的单元量子。
1.22 热缺陷 thermal defect
  由于热起伏的原因使正常原子(或离子)离开格点位置,产生的空位和填隙原子(或离子)。包括弗仑克尔缺陷和肖特基缺陷。
1.23 弗仑克尔缺陷 Frenkel defecl
  由于热起伏的原因使原子(或离子)脱离正常格点迁移到晶体表面,在晶体内部留下的空位所形成的缺陷。
1.24 肖特基缺陷 Schetlky defect
  晶体内部的原子(或离了),由于热起伏的原因,脱离正常格点迁移到晶体表面,在晶体内部留下的空位所形成的缺陷。
1.25 活化能 activation energy
  在物理化学过程中,始态和终态之间存在着一个势垒,为使过程得以进行,必须供应一定的能量来克服这个势垒,所需要能量称为活化能。
1.26 扩散 diffusion
  由于原子(或离子、分子)的热运动而引起的物质迁移过程。
1.27 扩散通量 diffusion flux
  单位时间内通过垂直于扩散方向的单位面积的扩散物质的量。
1.28 扩散系数 diffusion coefficient
  扩散通量J与浓度梯度 的比例系数,用D表示:
  J=D ……………………………(1)
  式中:C—浓度,粒子个数/m3
     X—扩散方向上的坐标,m;
     J—扩散通量,粒子个数/s·m2
     D—扩散系数,m2/s。
1.29 迁移率 motility
  载流子在单位电场强度作用下,在电场方向的平均漂移速度,用μ表示:
  μ=V/E ………………………………(2)
  式中:E—电场强度,V/m;
     V—平均漂移速度,m/s;
     μ—迁移,m2/V·s。
1.30 电子电导 electronic conduction
  自由电子形成的电导。
1.31 离子电导 ionic donduction
  弱束缚离子在电场作用下产生的电导。
1.32 空间电荷 space charge
  电介质体内聚集在晶界、相界附近的可移动的电荷。
1.33 电介质极化 die;ectric polarization
  在外电场作用下电介质中微观点或小区域正负电荷中心分离的现象。
1.34 电子极化 electronic polarization
  离子或原子的电子云相对原了核位移引起的极化。
1.35 离子极化 electronic polarization
  正负离子相对位移而引起的极化。
1.36 热松弛极化 thermal relaxation polarization
  电介质中弱束缚质点(离子或电子)的热运动,受热起伏的影响,从个平衡位置迁移到另一个平衡位置,不具有方向性。在外电场作用下,这种运动在某个方向的几率增大,介质呈现极化。
1.37 弄面极化 interface polarization
  电介质中积聚在晶界及其他非均匀界面附近的电荷,在外电场作用下产生的极化,又称空的电荷极化。
1.38自发极化 spontaneous polarization
  某些晶体中因电偶极子的规则排列而产生的极化。
1.39 电偶极距 clectric dipole moment
  电介质中带有正或负电荷q的质点,相对移开距离 形成的系统,叫电偶极子,简称偶极子。偶极子的大小用电偶极矩表示,即:
  m=qt …………………………(3)
  式中:m—电偶极矩,简称电矩或偶极矩。
1.40 极化强度 polarization intensity
  电介质单位体积中的电偶极矩数目。
1.41 铁电畴 ferroelectricity
  晶体的自发极化沿电场方向取向的特性。
1.42 铁电畴 ferroelectric domain
  铁电体内部自发极化向相同的小区域。
1.43 电畴壁 electric domain wall
  两个电畴之间的过渡层。
1.44 电滞回线 ferroelectric hysieresis loop
  铁电体极化强度滞后于外电场强度而变化的轨迹。
1.45 居量温度 Curie temperature
  铁电体转变为顺电体的温度,称铁电体的居里温度,简称居里点。对有二级相变的铁电体其居里点即为相变温度。一般用T。表示。
1.46 一级相变 first order phase transition
  相变发生于特定的温度下,伴随有显著的结构变化,系统的内能、熵、比热容等性质变化不连续。
1.47 二级相变 second order phase transitikon
  相变发生在一不定的温范围内,没有显著的结构变化,系统的内能和熵变化是连续的。
1.48 压电效应 piezoelectric effect
  压电体在应力作用下,因形变产生的极化状态的改变所导致表面荷电的现象称正压电效应。压电体在电场作用下产生应变的现象称逆压电效压。两者部称压电效应。
1.49 电致伸缩效应 electro-striction
  在电场作用下,电介质的应变与电场强度的平方成正比的现象。
1.50热释电效应 pyroelectric effect
  电介质因温度变化在其表面产生电荷的现象。
1.51 光电效应 photoelectric effect
  电介质受到光照射后,某些电性能发生变化的现象。
1.52 电光效应 electro-optic effect
  透光介质的光学参数随电场而改变的现象。
1.53 光生伏特效应 photovoltaic effect
  介质、半导体等光能转变为电能的效应。
1.54 双电滞回线 double hysteresis loop
  反铁电体和高于居里温度下的铁电体,在正、反电场方向分别呈现的电滞回线。
1.55 铁弹效应 ferroelastic effect
  在外力作用下,晶体应力与应变之间呈现类似电滞回线那样滞后曲线的现象。
1.56 光弹效应 photoelastic effect
  晶体的折射率随应变而变化的现象。
1.57 敏感效应 photoelastic effect
  材料参数随外界条件而显著变化的现象。
1.58 半导体 semiconductor
  电导率介于导体和绝缘体之间(室温时通常在10-9~10-3S/cm范围内)的物质。
1.59 N型半导体 N-type semiconductor
  载流子以电为主的半导体。
1.60 P型半导体 P-type semicondctor
  载流子以空穴为主的半导体。
1.61 价控半导体 valence-control semiconductor
  通过与基质原子价不同的元素掺入而形成的半导体。
1.62 非化学计量 nonstoichiometry
  原子组成偏离化学式量。
1.63 掺杂改性 doping vario-property
  晶体因掺入少量 杂质而改变晶体结构及物理化学性质的现象。
1.64 n型掺杂 n-type doping
  高价杂质掺入到低价基质中提供附加施主能级的现象。
1.65 P型掺杂 p-type doping
  低价杂质掺入到高入基质中提供附加受主能级的现象。
1.66 固溶体 solid solution
  一种物质(溶质)的质点(原子、离子或分子)溶于另一种物质(溶剂)所形成的均匀固体。一般分为置换固溶体、间隙固体和缺位固体溶体。
1.67 置换固溶体 substitutional solid solution
  溶剂晶格格点上的部分质点被溶质质点取入而成的固溶体。
1.68 间隙固溶体 interstitial solid solution
  溶质质点进入溶剂晶格格点间的间隙位置而成的固溶体。
1.69 缺位固溶体 vacancy solid solution
  晶格格点上出现空位一种固溶体。
2 瓷料种类
2.1 装置瓷 mountiog ceramics
  用于制造电子元件、部件和电路中各种基体、结构件、绝缘零件(如各种线圈骨架、绝缘子、高频瓷轴、半导体器件和集成电路基片、电子管绝缘结构零件等)的陶瓷,通称 装置瓷。其特点是绝缘电阻高、电容率小、介质损耗小、机械强度高、热膨胀系数小、化学稳定性好等。主要瓷有滑石瓷、氧化铝瓷、镁橄榄石瓷、刚玉-莫来石瓷和化硅瓷、氮化硼瓷等。
2.2 电真空瓷 electrovacuum ceramics
  用于制作电真空器件中密封零件和绝缘零件的陶瓷,称为电真空瓷。属于这一类的陶瓷材料有氧化铝瓷、氧化铍瓷、镁橄榄石瓷、滑石瓷和氮化硼瓷等。
电真空瓷的特点是真空气密性们好、高温下蒸气压低、低的介质损耗角正切值、小的电容率、高的绝缘强度和机械强度、造当的导热系数和膨胀系数,热稳定性和化学稳定性好。
2.3 氧化铝瓷 aluruina ceramics
  以氧化铝炽主要成分的陶瓷,称为氧化铝瓷,如A-75瓷、A-99.9瓷等。其主晶相是Al2O3氧化铝瓷具有机械强度高、高温下介电性能优异、真空气密性好、介电损耗低、硬高大、导热性好、耐高温、耐磨、耐腐蚀、抗氧化等特点,主要用于制作超高频、大功率电真空器件绝缘结构零件,厚膜、薄膜和微波集成电路成片,硅整流器的壳体和支架、天线罩等。
2.4 氧........

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